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IRGBC30S	文件：252.17 Kbytes Page：6 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=18A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRGBC30S	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT STD 600V 34A TO-220AB	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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LOGO

IRGBC30S

文件：252.17 Kbytes

Page：6 Pages

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=18A)

Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

IRGBC30S

文件：98.39 Kbytes

Page：35 Pages

Fit Rate / Equivalent Device Hours

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

IRGBC30S

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT STD 600V 34A TO-220AB

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

产品属性

产品编号：
IRGBC30S
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，18A
输入类型：
标准
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220AB
描述：
IGBT STD 600V 34A TO-220AB

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