IRGBC30S中文资料INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=18A)数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
IRGBC30S |
| 参数属性 | IRGBC30S 封装/外壳为TO-220-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT STD 600V 34A TO-220AB |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=18A) |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 11:15:00 |
| 人工找货 | IRGBC30S价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRGBC30S规格书详情
简介
IRGBC30S属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRGBC30S晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
IRGBC30S
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，18A
- 输入类型：
标准
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220AB
- 描述：
IGBT STD 600V 34A TO-220AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INTERNATIONA |
05+ |
原厂原装 |
8915 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IR |
15+ |
TO-220 |
11560 |
全新原装,现货库存,长期供应 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-220-3 |
8866 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
22+ |
TO220AB |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IOR |
24+ |
TO-220 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
35890 |
询价 | |||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-220 |
6500 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
询价 |
