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IRGBC30FD2数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
IRGBC30FD2 |
| 参数属性 | IRGBC30FD2 封装/外壳为TO-220-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT W/DIODE 600V 31A TO-220AB |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=31A) |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 23:00:00 |
| 人工找货 | IRGBC30FD2价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRGBC30FD2规格书详情
简介
IRGBC30FD2属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRGBC30FD2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
IRGBC30FD2
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，17A
- 输入类型：
标准
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220AB
- 描述：
IGBT W/DIODE 600V 31A TO-220AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
17138 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO 220 |
161216 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-220 |
7000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
25+ |
TO-220-3 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
35890 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
22+ |
TO220AB |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
INTERNATIONA |
05+ |
原厂原装 |
7246 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
询价 |
