IRGBC30F数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
IRGBC30F规格书详情
简介
IRGBC30F属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRGBC30F晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:IRGBC30F
- 生产厂家
:Infineon
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
:600V
- 电流 - 集电极(Ic)(最大值)
:31A
- 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
:2.1V @ 15V,17A
- 功率 - 最大值
:100W
- 输入类型
:标准
- 工作温度
:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型
:通孔
- 封装/外壳
:TO-220-3
- 供应商器件封装
:TO-220AB
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
17138 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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IR |
24+ |
TO 220 |
161206 |
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IR |
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IR |
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TO-220 |
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TO220AB |
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Infineon Technologies |
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TO-220AB |
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IR/VISHAY |
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TO-220 |
25000 |
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Infineon Technologies |
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原装 |
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只做原装现货 |
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