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IRGBC30FD2	文件：414.44 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=31A) Description Co-packagedIGBTsareanaturalextensionofInternationalRectifierswellknownIGBTline.TheyprovidetheconvenienceofanIGBTandanultrafastrecoverydiodeinonepackage,resultinginsubstantialbenefitstoahostofhigh-voltage,high-current,motorcontrol,UPSandpowers	IRF International Rectifier	IRF
IRGBC30FD2	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours	IRF International Rectifier	IRF
IRGBC30FD2	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT W/DIODE 600V 31A TO-220AB	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRGNC30FD2	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRF International Rectifier	IRF
IRGPC30FD2	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRF International Rectifier	IRF
IRGPC30FD2	文件：422.06 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERY(Vces=600V,@Vge=15V,Ic=17A) Description Co-packagedIGBTsareanaturalextensionofInternationalRectifierswellknownIGBTline.TheyprovidetheconvenienceofanIGBTandanultrafastrecoverydiodeinonepackage,resultinginsubstantialbenefitstoahostofhigh-voltage,high-current,motorcontrol,UPSandpowers	IRF International Rectifier	IRF

产品属性

产品编号：
IRGBC30FD2
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，17A
输入类型：
标准
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220AB
描述：
IGBT W/DIODE 600V 31A TO-220AB

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更多IRGBC30FD2供应商更新时间2025-5-7 19:10:00

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