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IRGIB7B60KD	文件：435.57 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Maximum Junction Temperature rated at 175°C. Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transient Performance. • Low 文件：435.57 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGIB7B60KDPBF	文件：902.75 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Maximum Junction Temperature rated at 175°C. • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transient Perform 文件：902.75 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGIB7B60KDPBF	文件：911.72 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：911.72 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRGIB7B60KDPBF_15	文件：911.72 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：911.72 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRGIB7B60KD	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V Low-Vceon Copack IGBT in a TO-220 FullPak package	Infineon 英飞凌	Infineon
IRGIB7B60KDPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 12A 39W TO220FP	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

Technology ：
IGBT Gen 5
Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
TO-220-3 FP
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
8.0A
IC(@25°) max：
12.0A
ICpuls max：
24.0A
Ptot max：
39.0W
VCE(sat) ：
1.8V
Eon ：
0.16mJ
Eoff(Hard Switching) ：
0.16mJ
td(on) ：
23.0ns
tr ：
22.0ns
td(off) ：
140.0ns
tf ：
32.0ns
QGate ：
29.0nC
IF max：
18.0A
VF ：
1.25V
Qrr ：
620.0nC
Irrm ：
13.0A
Ets (max)：
0.32mJ (0.433mJ)
VCE max：
600.0V

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