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IRGIB6B60KD116P	文件：282.83 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransien	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRGIB6B60KD116P	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 整包类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 11A 38W TO220FP	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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IRGIB6B60KD116P

文件：282.83 Kbytes

Page：13 Pages

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransien

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

IRGIB6B60KD116P

文件：100 bytes

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包装：管件封装/外壳：TO-220-3 整包类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 11A 38W TO220FP

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

产品属性

产品编号：
IRGIB6B60KD116P
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
NPT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，5A
开关能量：
110µJ（开），135µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
25ns/215ns
测试条件：
400V，5A，100 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220AB 整包
描述：
IGBT 600V 11A 38W TO220FP

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