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|---|---|---|---|---|
IRGIB6B60KD116P | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transien 文件：282.83 Kbytes 页数：13 Pages | IRF | IRF | |
IRGIB6B60KD116P | Package：TO-220-3 整包；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 600V 11A 38W TO220FP | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
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产品属性
- 产品编号：
IRGIB6B60KD116P
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，5A
- 开关能量：
110µJ（开），135µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
25ns/215ns
- 测试条件：
400V，5A，100 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：
TO-220AB 整包
- 描述：
IGBT 600V 11A 38W TO220FP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-220-3 |
225 |
询价 | |||
IR |
17+ |
TO220 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IR |
21+ |
TO220 |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
INFINEON |
25+ |
TO-220 |
3000 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
IR |
1923+ |
TO220 |
5000 |
正品原装品质假一赔十 |
询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
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询价 | ||
IR |
23+ |
TO220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IR |
21+ |
TO220 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
TO220AB FullPak |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
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- M30800SAFP#D3
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- M30800SAGP#U5
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