| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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210494 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO220 |
4000 |
2022+ |
原装原厂代理 可免费送样品 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRTO-220F |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IRTO-220 |
2000 |
17+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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NECTO-252 |
69820 |
23+ |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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IR/International Rectifier/国TO-220 |
2000 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-220F |
88836 |
22+ |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IRTO-220FullPak |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世TO-220-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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IRTO-220 |
56000 |
21+ |
公司进口原装现货 批量特价支持 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-TO-220F |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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IR/VISHAYTO-TO-220F |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRTO-220F |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRTO-220F |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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IR/VISHAYTO-220F |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRTO-220F |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO-220FullPak |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO-220 FullPak |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
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IRTO-220 |
2000 |
17+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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IR原厂封装 |
2000 |
16+ |
原装现货假一罚十 |
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IRGIB6B60KD图片
IRGIB6B60KDPBF价格
IRGIB6B60KDPBF价格：￥10.4782品牌：International
生产厂家品牌为International的IRGIB6B60KDPBF多少钱，想知道IRGIB6B60KDPBF价格是多少？参考价：￥10.4782。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRGIB6B60KDPBF批发价格及采购报价，IRGIB6B60KDPBF销售排行榜及行情走势，IRGIB6B60KDPBF报价。
IRGIB6B60KD资讯
IRGIB6B60KDPBF TO-220封装，厂家直销，大量现货热卖
型号：IRGIB6B60KDPBF 品牌：IR 类型：IGBT 描述IGBTULTRAFAST600V11ATO220FP 标准包装：50 类别：分离式半导体产品 家庭：IGBT-单路 IGBT类型：NPT 电压-集电极发射极击穿（最大）：600V Vge,
IRGIB6B60KD中文资料Alldatasheet PDF
更多IRGIB6B60KD制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGIB6B60KD116P功能描述:IGBT 晶体管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRGIB6B60KDPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V Low-Vceon RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
