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IRGIB6B60KDPBF	文件：254.29 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Lead-Free. Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • R 文件：254.29 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGIB6B60KDPBF	文件：314.27 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：314.27 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGIB6B60KDPBF_15	文件：314.27 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：314.27 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGIB6B60KDPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 11A 38W TO220FP	Infineon 英飞凌	Infineon

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更多IRGIB6B60KDPBF供应商更新时间2025-12-24 9:05:00