首页 >IRGS30B60KTRRP>规格书列表

零件编号下载 订购功能描述/丝印制造商 上传企业LOGO

IRGSL30B60K

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransientPerformance. •Low

IRF

International Rectifier

IRGSL30B60K

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology •10µsShortCircuitCapability •SquareRBSOA •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient •MaximumJunctionTemperatureratedat175°C •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl •RuggedTransientPerformance

IRF

International Rectifier

IRGSL30B60KPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology •10µsShortCircuitCapability •SquareRBSOA •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient •MaximumJunctionTemperatureratedat175°C •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl •RuggedTransientPerformance

IRF

International Rectifier

MBR30B60CTH

PowerSchottkyRectifier-30Amp60Volt

SIRECTSirectifier Global Corp.

矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司

MBR30B60FCTH

PowerSchottkyRectifier-30Amp60Volt

SIRECTSirectifier Global Corp.

矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司

QCA30B60

TRANSISTORMODULE

TRANSISTORMODULE QCA30BandQCB30AaredualDarlingtonpowertransistormoduleswhichhaveseries-connectedhighspeed,highpowerDarlingtontransistors.Eachtransistorhasareverseparalleledfastrecoverydiode. ●IC30A,VCEX400/600V ●Lowsaturationvoltageforhigherefficiency. ●Is

SANREX

Sansha Electric Mfg. Co. Ltd.

SBL30B60CTH

PowerSchottkyRectifier-30Amp60Volt

SIRECTSirectifier Global Corp.

矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司

SBL30B60FCTH

PowerSchottkyRectifier-30Amp60Volt

SIRECTSirectifier Global Corp.

矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司

详细参数

  • 型号:

    IRGS30B60KTRRP

  • 功能描述:

    IGBT 模块 600V 30AD2PAK

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 产品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作温度:

    + 125 C

  • 封装/箱体:

    34MM

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
24+
TO-263
588
只做原厂渠道 可追溯货源
询价
IR
23+
TO-263
8650
受权代理!全新原装现货特价热卖!
询价
Infineon Technologies
21+
D2PAK
800
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)!
询价
IR
11+PBF
TO-263
638
现货
询价
Infineon
1931+
N/A
493
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物
询价
INFINEON
1809+
TO-263
1675
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!
询价
IR
23+
TO-263
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
Infineon
22+
NA
493
加我QQ或微信咨询更多详细信息,
询价
IR
21+
TO-263
10000
原装现货假一罚十
询价
Infineon Technologies
22+
D2PAK
9000
原厂渠道,现货配单
询价
更多IRGS30B60KTRRP供应商 更新时间2025-6-19 16:36:00