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IRGSL30B60KPBF中文资料PDF规格书
厂商型号 |
IRGSL30B60KPBF |
参数属性 | IRGSL30B60KPBF 封装/外壳为TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 78A 370W TO262 |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
文件大小 |
385.77 Kbytes |
页面数量 |
14 页 |
生产厂商 | International Rectifier |
企业简称 |
IRF【英飞凌】 |
中文名称 | 英飞凌科技公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-14 14:50:00 |
IRGSL30B60KPBF规格书详情
Features
• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology
• 10µs Short Circuit Capability
• Square RBSOA
• Positive VCE (on) Temperature Coefficient
• Maximum Junction Temperature rated at 175°C
• Lead-Free
Benefits
• Benchmark Efficiency for Motor Control
• Rugged Transient Performance
• Low EMI
• Excellent Current Sharing in Parallel Operation
产品属性
- 产品编号:
IRGSL30B60KPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
卷带(TR)
- IGBT 类型:
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.35V @ 15V,30A
- 开关能量:
350µJ(开),825µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
46ns/185ns
- 测试条件:
400V,30A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商器件封装:
TO-262
- 描述:
IGBT 600V 78A 370W TO262
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
22+ |
TO-262 |
360000 |
进口原装房间现货实库实数 |
询价 | ||
IR |
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TO-262 |
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Infineon Technologies |
22+ |
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TO-262-3 |
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IR |
TO262 |
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Infineon Technologies |
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TO262 |
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