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IRGSL30B60K	文件：328.22 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Maximum Junction Temperature rated at 175°C. Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transient Performance. • Low 文件：328.22 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRGSL30B60K	文件：323.09 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology • 10µs Short Circuit Capability • Square RBSOA • Positive VCE (on) Temperature Coefficient • Maximum Junction Temperature rated at 175°C • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control • Rugged Transient Performance 文件：323.09 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRGSL30B60KPBF	文件：385.77 Kbytes Page：14 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology • 10µs Short Circuit Capability • Square RBSOA • Positive VCE (on) Temperature Coefficient • Maximum Junction Temperature rated at 175°C • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control • Rugged Transient Performance 文件：385.77 Kbytes 页数：14 Pages	IRF	IRF
IRGSL30B60K	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V UltraFast 10-30 kHz IGBT in a TO-262 package	Infineon 英飞凌	Infineon
IRGSL30B60KPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 78A 370W TO262	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Technology ：
IGBT Gen 5
Switching Frequency min max：
30.0kHz 150.0kHz
Package ：
I2PAK (TO-262)
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
50.0A
IC(@25°) max：
78.0A
ICpuls max：
120.0A
Ptot max：
370.0W
VCE(sat) ：
1.95V
Eon ：
0.35mJ
Eoff(Hard Switching) ：
0.825mJ
td(on) ：
46.0ns
tr ：
28.0ns
td(off) ：
185.0ns
tf ：
31.0ns
QGate ：
87.0nC
Moisture Sensitivity Level ：
1
Ets (max)：
1.175mJ (1.575mJ)
Switching Frequency ：
Gen 5 30-150 kHz
VCE max：
600.0V

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