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IRGSL30B60K	文件：328.22 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransientPerformance. •Low	IRF International Rectifier	IRF
IRGSL30B60K	文件：323.09 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology •10µsShortCircuitCapability •SquareRBSOA •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient •MaximumJunctionTemperatureratedat175°C •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl •RuggedTransientPerformance	IRF International Rectifier	IRF
IRGSL30B60KPBF	文件：385.77 Kbytes Page：14 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology •10µsShortCircuitCapability •SquareRBSOA •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient •MaximumJunctionTemperatureratedat175°C •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl •RuggedTransientPerformance	IRF International Rectifier	IRF
IRGSL30B60KPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 78A 370W TO262	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
MBR30B60CTH	文件：133.17 Kbytes Page：3 Pages	PowerSchottkyRectifier-30Amp60Volt	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司	SIRECT
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QCA30B60	文件：508.34 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTORMODULE TRANSISTORMODULE QCA30BandQCB30AaredualDarlingtonpowertransistormoduleswhichhaveseries-connectedhighspeed,highpowerDarlingtontransistors.Eachtransistorhasareverseparalleledfastrecoverydiode. ●IC30A,VCEX400/600V ●Lowsaturationvoltageforhigherefficiency. ●Is	SANREX Sansha Electric Mfg. Co. Ltd.	SANREX
SBL30B60CTH	文件：131.35 Kbytes Page：3 Pages	PowerSchottkyRectifier-30Amp60Volt	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司	SIRECT
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详细参数

型号：
IRGSL30B60K
制造商：
IRF
制造商全称：
International Rectifier
功能描述：
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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