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IRGS15B60KPBF	文件：264.6 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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AOB15B60D	文件：606.9 Kbytes Page：9 Pages	600V,15AAlphaIGBTwithDiode GeneralDescription TheAlphaIGBTTMlineofproductsoffersbest-in-classperformanceinconductionandswitchinglosses,withrobustshortcircuitcapability.Theyaredesignedforeaseofparalleling,minimalgatespikeunderhighdV/dtconditionsandresistancetooscillations.Thesoftcopac	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOK15B60D	文件：663.26 Kbytes Page：9 Pages	600V,15AAlphaIGBTwithDiode GeneralDescription TheAlphaIGBTTMlineofproductsoffersbest-in-classperformanceinconductionandswitchinglosses,withrobustshortcircuitcapability.Theyaredesignedforeaseofparalleling,minimalgatespikeunderhighdV/dtconditionsandresistancetooscillations.Thesoftcopac	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT15B60D	文件：658.58 Kbytes Page：9 Pages	600V,15AAlphaIGBTwithDiode GeneralDescription TheAlphaIGBTTMlineofproductsoffersbest-in-classperformanceinconductionandswitchinglosses,withrobustshortcircuitcapability.Theyaredesignedforeaseofparalleling,minimalgatespikeunderhighdV/dtconditionsandresistancetooscillations.Thesoftcopac	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF15B60D	文件：664.05 Kbytes Page：9 Pages	600V,15AAlphaIGBTwithDiode GeneralDescription TheAlphaIGBTTMlineofproductsoffersbest-in-classperformanceinconductionandswitchinglosses,withrobustshortcircuitcapability.Theyaredesignedforeaseofparalleling,minimalgatespikeunderhighdV/dtconditionsandresistancetooscillations.Thesoftcopac	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
IRGB15B60KD	文件：269.09 Kbytes Page：15 Pages	ULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransien	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRGB15B60KDPBF	文件：821.1 Kbytes Page：15 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyfor	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRGS15B60KDPBF	文件：830.08 Kbytes Page：16 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRGSL15B60KDPBF	文件：821.1 Kbytes Page：15 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyfor	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

详细参数

型号：
IRGS15B60KPBF
功能描述：
IGBT 晶体管 600V 15A 1.8V Welding SMPS UPS
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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