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IRGSL15B60KD	文件：269.09 Kbytes Page：15 Pages	ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transien 文件：269.09 Kbytes 页数：15 Pages	IRF	IRF
IRGSL15B60KDPBF	文件：821.1 Kbytes Page：15 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for 文件：821.1 Kbytes 页数：15 Pages	IRF	IRF
IRGSL15B60KD	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V UltraFast 10-30 kHz Copack IGBT in a TO-262 package	Infineon 英飞凌	Infineon
AOB15B60D	文件：606.9 Kbytes Page：9 Pages	600V, 15A Alpha IGBT with Diode General Description The Alpha IGBTTM line of products offers best-in-class performance in conduction and switching losses, with robust short circuit capability. They are designed for ease of paralleling, minimal gate spike under high dV/dt conditions and resistance to oscillations. The soft copac 文件：606.9 Kbytes 页数：9 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOK15B60D	文件：663.26 Kbytes Page：9 Pages	600V, 15A Alpha IGBT with Diode General Description The Alpha IGBTTM line of products offers best-in-class performance in conduction and switching losses, with robust short circuit capability. They are designed for ease of paralleling, minimal gate spike under high dV/dt conditions and resistance to oscillations. The soft copac 文件：663.26 Kbytes 页数：9 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOT15B60D	文件：658.58 Kbytes Page：9 Pages	600V, 15A Alpha IGBT with Diode General Description The Alpha IGBTTM line of products offers best-in-class performance in conduction and switching losses, with robust short circuit capability. They are designed for ease of paralleling, minimal gate spike under high dV/dt conditions and resistance to oscillations. The soft copac 文件：658.58 Kbytes 页数：9 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Technology ：
IGBT Gen 5
Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
I2PAK (TO-262)
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
15.0A
IC(@25°) max：
31.0A
ICpuls max：
62.0A
Ptot max：
139.0W
VCE(sat) ：
1.8V
Eon ：
0.22mJ
Eoff(Hard Switching) ：
0.34mJ
td(on) ：
34.0ns
tr ：
16.0ns
td(off) ：
1840.0ns
tf ：
20.0ns
QGate ：
56.0nC
IF max：
64.0A
VF ：
1.2V
Irrm ：
23.0A
Ets (max)：
0.56mJ (0.785mJ)
Moisture Sensitivity Level ：
1
VCE max：
600.0V

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