| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO 220 |
155578 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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IRTO-220AB |
19526 |
23+ |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRT0-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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IRTO263 |
7906200 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
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VISHAY(威世)TO-220 |
7828 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
1600 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市润联芯城科技有限公司1年
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IRTO-220 |
385 |
17+ |
只做原装正品 |
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深圳市微纳尔电子实业有限公司1年
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INFINEONTO263 |
2000 |
21+ |
只做原装,可开税票 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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VISN/A |
5000 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
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IRTO-263 |
800 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳兆威电子有限公司5年
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Infineon/英飞凌TO-220 |
8000 |
2017+ |
原装正品现货,可开13点税 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
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IRTO-220 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
留言
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IRTO-263-3 |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
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INFINEON/英飞凌TO263 |
9865 |
23+/24+ |
用芯服务,原装正品MOS(场效应管) |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IRD2-PAK |
9450 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
15000 |
23+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IR1 |
6523 |
1816+ |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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fairchildTO-220 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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TO-220 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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IRL520NPBF价格
IRL520NPBF价格：￥1.9642品牌：INTERNATIONAL
生产厂家品牌为INTERNATIONAL的IRL520NPBF多少钱，想知道IRL520NPBF价格是多少？参考价：￥1.9642。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRL520NPBF批发价格及采购报价，IRL520NPBF销售排行榜及行情走势，IRL520NPBF报价。
IRL520资讯
IRL520NPBF 只做原装正品
本公司只销售原装正品需要请联系：联系电话：0755-832253850755-82777362李先生：13691912091QQ：1648252878黄小姐：15012797976QQ：1311044072MSN:ltz52099@hotmail.com企业网址：www.laileric.com
IRL520中文资料Alldatasheet PDF
更多IRL520功能描述:MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL520A功能描述:MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL520L功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL520LPBF功能描述:MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL520N制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRL520NHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 10A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube
IRL520NL功能描述:MOSFET N-CH 100V 10A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL520NLPBF功能描述:MOSFET N-CH 100V 10A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL520NPBF功能描述:MOSFET MOSFT 10A 13.3nC 180mOhm LogLvAB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL520NS功能描述:MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
