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IRL520PBF	文件：1.02845 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRL520PBF	文件：1.16179 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •Logic-LevelGateDrive •RDS(on)SpecifiedatVGS=4Vand5V •175°COperatingTemperature •FastSwitching •EaseofParalleling •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfrom	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRL520S	文件：924.93 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLI520	文件：37.3 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLI520A	文件：274.29 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLI520G	文件：179.01 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET-RPOWERMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLI520G	文件：993.51 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLI520G	文件：294.45 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLI520GPBF	文件：993.51 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLI520N	文件：37.3 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRL520NSTRL
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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