| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-263-3 |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRD2-pak |
20000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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VishayN/A |
1000 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
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IRTO-263 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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IRFSOT263 |
9518 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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FAIRCHILDONSEMICONDUCTORNA |
2000 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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58668 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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VISHAYTO-220-3 |
1000 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-220 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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Vishay/Vishay Intertechnology,TO-220 |
646 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市新力诚科技有限公司9年
留言
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VishayTO-220 |
52070 |
2020+ |
公司代理品牌,原装现货超低价清仓! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-220 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-220 |
89214 |
22+ |
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上海磐岳电子有限公司6年
留言
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IRTO220 |
5800 |
2023+ |
进口原装,现货热卖 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRTO220 |
8862 |
1746+ |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Vishay SiliconixTO2203 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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VISHAY/IR原厂封装 |
1250 |
16+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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VISHAYTO-220 |
13343 |
2234+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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IRL640图片
IRL640价格
IRL640价格：￥17.0998品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRL640多少钱，想知道IRL640价格是多少？参考价：￥17.0998。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRL640批发价格及采购报价，IRL640销售排行榜及行情走势，IRL640报价。
IRL640中文资料Alldatasheet PDF
更多IRL640功能描述:MOSFET N-Chan 200V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL640A功能描述:MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL640L功能描述:MOSFET N-CH 200V 17A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL640PBF功能描述:MOSFET N-Chan 200V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL640S功能描述:MOSFET N-Chan 200V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL640SPBF功能描述:MOSFET N-Chan 200V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL640STRL功能描述:MOSFET N-Chan 200V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL640STRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 200V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL640STRR功能描述:MOSFET N-Chan 200V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL640STRRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 200V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
