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IRLD120

Power MOSFET

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威世威世科技公司

IRLD120

POWER MOSFET

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IRF

IRLD120

Power MOSFET

• Dynamic dV/dt rating\n• Repetitive avalanche rated\n• For automatic insertion;

Vishay

威世

IRLD120_V01

Power MOSFET

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IRLD120PBF

HEXFET Power MOSFET

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IRF

IRLD120PBF

Power MOSFET

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IRLD120/SiHLD120

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HEXFET Power MOSFET

Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    IRLD120

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 100V 1.3 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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IR
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DIP-4
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DIP-4
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DIP-4
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