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IRL520NS	文件：180.79 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRL520NS	文件：197.67 Kbytes Page：11 Pages	Logic-Level Gate Drive	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRL520NS	文件：188.6 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRL520NSL	文件：180.79 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRL520NSPBF	文件：398.37 Kbytes Page：10 Pages	Logic-Level Gate Drive	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRL520NSPBF	文件：407.51 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRL520NSPBF_15	文件：407.51 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
520	文件：89.37 Kbytes Page：1 Pages	MINIATUREFUSEHOLDERS	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse
520	文件：1.6009 Mbytes Page：96 Pages	Pentium4ProcessorsSupportingHyper-ThreadingTechnology Introduction TheIntel®Pentium®4processoron90nmprocessinthe775-landpackageisafollowontothePentium4processorinthe478-pinpackagewithenhancementstotheIntelNetBurst®microarchitecture.ThePentium4processoron90nmprocessinthe775-landpackageusesFlipChipLandGr	IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔（集成电子公司）	Intel
520	文件：423.92 Kbytes Page：5 Pages	횠6.1mmmountingRobuststainlesssteelhousing	MARL Marl International Ltd	MARL
520	文件：268.73 Kbytes Page：1 Pages	ROUNDINSTRUMENTATIONHANDLES [KEYSTONE] ROUNDINSTRUMENTATIONHANDLES FERRULES HANDLEMOUNTINGSCREWS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
520	文件：15.06 Kbytes Page：2 Pages	SandblastStencil	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司	3M
520	文件：299.53 Kbytes Page：4 Pages	TemperatureCompensatedCrystalOscillator FEATURES •ClippedSineWaveOutput •OptionalVoltageControlforFrequencyTuning[VCTCXO] •2.5mmx2.0mmSurfaceMountPackage •FrequencyRange10–52MHz[StandardFrequenciesListShownBelow] •FundamentalCrystalDesign •FrequencyStability,severaloptionstochoosefrom±0.5ppm~	CTSCTS Electronic Components 西迪斯西迪斯公司	CTS
520C	文件：1.1525 Mbytes Page：3 Pages	ScrewTerminalMountingHardwareandAccessories	CDE Cornell Dubilier Electronics	CDE
520C	文件：220.5 Kbytes Page：7 Pages	HighRipple,LongLifeScrewTerminalType	CDE Cornell Dubilier Electronics	CDE
520C	文件：357.11 Kbytes Page：7 Pages	Long-life,InverterGrade,AluminumUltra-Ripple,Long-life,InverterGrade	CDE Cornell Dubilier Electronics	CDE
520ETL	文件：15.06 Kbytes Page：2 Pages	SandblastStencil	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司	3M
520PWC	文件：116.26 Kbytes Page：5 Pages	5MMLED	HBHB Electronic Components HB Electronic Components	HB
520S	文件：15.06 Kbytes Page：2 Pages	SandblastStencil	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司	3M
520T	文件：15.06 Kbytes Page：2 Pages	SandblastStencil	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司	3M

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详细参数

型号：
IRL520NS
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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