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深圳市美思瑞电子科技有限公司

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IRL520NS

IRD2-PAK

9450

22+

原装正品,实单请联系

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

10年 留言
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IRL520NS

IR/VISHAYTO-263

12300

23+

全新原装真实库存含13点增值税票!

深圳市安富世纪电子有限公司

4年 留言
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IRL520NS

IRTO-263

7500

20+

现货很近!原厂很远!只做原装

深圳市金嘉锐电子有限公司

8年 留言
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IRTO-263-3

32560

2024+

原装优势绝对有货

深圳市汇莱威科技有限公司

11年 留言
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IRTO263

7906200

深圳市坤融电子科技有限公司

5年 留言
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IRTO-263

1600

22+

只做原装进口 免费送样!!

深圳市高捷芯城科技有限公司

4年 留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK

4000

2022+

Infineon 现货直销 当天发货正品渠道

深圳市创芯联科技电子有限公司

5年 留言
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IR(国际整流器)tray

2800

2022+

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:¥$0.10

正品现货直销 稳定供应现货可含税

深圳市柯尔基电子有限公司

10年 留言
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INFINEON/英飞凌TO263

63055

22+

用芯服务,原装正品MOS(场效应管)

深圳市安富世纪电子有限公司

4年 留言
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IRTO-263

32500

20+

现货很近!原厂很远!只做原装

贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

5年 留言
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Infineon(英飞凌)N/A

12000

22+

一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

深圳市微纳尔电子实业有限公司

1年 留言
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INFINEONTO263

2000

21+

只做原装,可开税票

深圳市福田区晶康业电子商行

2年 留言
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IRSOT263

722

20+

全新原装,价格优势

深圳中科芯电子集团有限公司

2年 留言
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INFINEONWLCSP-36

10000

22+

中科芯电子只做原装,支持实单

深圳市恒嘉威智能科技有限公司

2年 留言
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IRTO-263

25000

21+

原装正品价格绝对优势

深圳市汇莱威科技有限公司

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TO-263

68900

IR/VISHAY

原包原标签100%进口原装常备现货!

中天科工半导体(深圳)有限公司

13年 留言
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IRTO-263

38900

20+

原装优势主营型号-可开原型号增税票

深圳市凌旭科技有限公司

12年 留言
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    张小姐/李先生(正规纳税人企业,可开13%增票,请放心采购)

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IRTO-263

1709

21+

深圳市卓越微芯电子有限公司

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IRTO-263

5000

2020+

百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

深圳市博浩通科技有限公司

14年 留言
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    国内业务:深圳市福田区华强北宝华大厦A座808,国际业务:深圳市福田区华强北路赛格广场3510A室

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IRSOT263

9365

23+

价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询

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IRL520NSTRLPBF价格:¥2.2210品牌:IR

生产厂家品牌为IR的IRL520NSTRLPBF多少钱,想知道IRL520NSTRLPBF价格是多少?参考价:¥2.2210。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRL520NSTRLPBF批发价格及采购报价,IRL520NSTRLPBF销售排行榜及行情走势,IRL520NSTRLPBF报价。

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IRL520NS功能描述:MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRL520NSHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

IRL520NSL制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET

IRL520NSPBF功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 180mOhms 13.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRL520NSTRL功能描述:MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRL520NSTRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

IRL520NSTRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 100V 10A 180mOhm 13.3nC LogLv RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRL520NSTRR功能描述:MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRL520NSTRRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R