| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
 |
IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
|
12年
留言
|
IRD2-PAK |
9450 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
|||
|
 |
INFINEONN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
|
7年
留言
|
Infineon(英飞凌)D2PAK |
12421 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
|||
|
7年
留言
|
Infineon(英飞凌)D2PAK |
10548 |
26+ |
原厂订货渠道,支持账期,一站式服务! |
|||
|
6年
留言
|
INFINEON/英飞凌TO-263 |
4 |
05+ |
深圳原装无铅现货 |
|||
|
13年
留言
|
IRTO-263 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
|
8年
留言
|
Infineon(英飞凌)D2PAK |
12421 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
|||
|
7年
留言
|
Infineon(英飞凌)D2PAK |
12421 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
|||
|
4年
留言
|
Infineon(英飞凌) |
25650 |
23+ |
新到现货,只做原装进口 |
|||
|
13年
留言
|
INFINEON/英飞凌TO263 |
9865 |
26+ |
用芯服务,原装正品MOS(场效应管) |
|||
|
15年
留言
|
IRTO-263 |
38900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
|
8年
留言
|
IRTO263 |
10026 |
21+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
|
13年
留言
|
IRTO-263 |
1709 |
21+ |
||||
|
10年
留言
|
IRTSSOP |
86720 |
26+ |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
|||
|
12年
留言
|
IRTO-263 |
6885 |
2450+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
|
12年
留言
|
IRTO-263 |
12245 |
22+ |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
|
6年
留言
|
IRTO-263 |
880000 |
25+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
|
12年
留言
|
IRTO-263 |
9500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
|
6年
留言
|
IRTO263 |
146 |
23+ |
IRL520NS采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRL520NSTRLPBF价格
IRL520NSTRLPBF价格：￥2.2210品牌：IR
生产厂家品牌为IR的IRL520NSTRLPBF多少钱，想知道IRL520NSTRLPBF价格是多少？参考价：￥2.2210。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRL520NSTRLPBF批发价格及采购报价，IRL520NSTRLPBF销售排行榜及行情走势，IRL520NSTRLPBF报价。
IRL520NS中文资料Alldatasheet PDF
更多IRL520NS功能描述:MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL520NSHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRL520NSL制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRL520NSPBF功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 180mOhms 13.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL520NSTRL功能描述:MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL520NSTRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRL520NSTRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 100V 10A 180mOhm 13.3nC LogLv RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL520NSTRR功能描述:MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL520NSTRRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
