选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IRD2-PAK |
9450 |
22+ |
原装正品,实单请联系 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRTO-263 |
7500 |
20+ |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
留言
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IRTO-263-3 |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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IRTO263 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
1600 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
4000 |
2022+ |
Infineon 现货直销 当天发货正品渠道 |
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深圳市创芯联科技电子有限公司5年
留言
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IR(国际整流器)tray |
2800 |
2022+ |
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正品现货直销 稳定供应现货可含税 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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INFINEON/英飞凌TO263 |
63055 |
22+ |
用芯服务,原装正品MOS(场效应管) |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRTO-263 |
32500 |
20+ |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市微纳尔电子实业有限公司1年
留言
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INFINEONTO263 |
2000 |
21+ |
只做原装,可开税票 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRSOT263 |
722 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳中科芯电子集团有限公司2年
留言
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INFINEONWLCSP-36 |
10000 |
22+ |
中科芯电子只做原装,支持实单 |
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深圳市恒嘉威智能科技有限公司2年
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IRTO-263 |
25000 |
21+ |
原装正品价格绝对优势 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-263 |
68900 |
IR/VISHAY |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
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IRTO-263 |
38900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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IRTO-263 |
1709 |
21+ |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
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IRTO-263 |
5000 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRSOT263 |
9365 |
23+ |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
IRL520NS采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRL520NS图片
IRL520NSTRLPBF价格
IRL520NSTRLPBF价格:¥2.2210品牌:IR
生产厂家品牌为IR的IRL520NSTRLPBF多少钱,想知道IRL520NSTRLPBF价格是多少?参考价:¥2.2210。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRL520NSTRLPBF批发价格及采购报价,IRL520NSTRLPBF销售排行榜及行情走势,IRL520NSTRLPBF报价。
IRL520NS中文资料Alldatasheet PDF
更多IRL520NS功能描述:MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL520NSHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRL520NSL制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRL520NSPBF功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 180mOhms 13.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL520NSTRL功能描述:MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL520NSTRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRL520NSTRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 100V 10A 180mOhm 13.3nC LogLv RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL520NSTRR功能描述:MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL520NSTRRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R