| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRT0-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRTO-263 |
800 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市蓝山航业科技有限公司9年
留言
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ir |
500000 |
22+ |
行业低价,代理渠道 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
6528 |
2016+ |
房间原装进口现货假一赔十 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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IR原厂原装 |
1201 |
05+ |
只做全新原装真实现货供应 |
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深圳市九方航科技有限公司3年
留言
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VBSEMIT0-263 |
29600 |
19+ |
绝对原装现货,价格优势! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRT0-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Vishay SiliconixTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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IT0-263 |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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VBsemi/台湾微碧T0-263 |
7001 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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irN/A |
6980 |
22+ |
原装现货,可开13%税票 |
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深圳市英瑞芯科技有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
8900 |
22+ |
英瑞芯只做原装正品!!! |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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VBsemi/台湾微碧T0-263 |
30000 |
23+ |
代理全新原装现货,价格优势 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VBT0-263 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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IT0-263 |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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深圳市振宏微科技有限公司5年
留言
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VBsemi/台湾微碧T0-263 |
28000 |
23+ |
原装正品 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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IRTO-263 |
35890 |
23+ |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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ir原厂封装 |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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IT0-263 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRTO-263 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
IRL520S采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRL520S图片
IRL520S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRL520S功能描述:MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL520STRL功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL520STRR功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
