数据列表 IRL520NPbF
产品相片 TO-220AB PKG
产品培训模块 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
标准包装 50
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
包装 管件
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss) 100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时） 10A （Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 180 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 20nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 440pF @ 25V
功率 - 最大值 48W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
