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IRGSL4B60KD1PBF	文件：442.69 Kbytes Page：16 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransientPerform	IRF International Rectifier	IRF
IRGSL4B60KD1PBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT NPT 600V 11A TO262	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRGB4B60KD1	文件：377.18 Kbytes Page：15 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransientPerformance. •Low	IRF International Rectifier	IRF
IRGB4B60KD1	文件：376.95 Kbytes Page：15 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITH	IRF International Rectifier	IRF
IRGB4B60KD1PBF	文件：434.6 Kbytes Page：15 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransientPerform	IRF International Rectifier	IRF

产品属性

产品编号：
IRGSL4B60KD1PBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
IGBT 类型：
NPT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，4A
开关能量：
73µJ（开），47µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
22ns/100ns
测试条件：
400V，4A，100 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装：
TO-262
描述：
IGBT NPT 600V 11A TO262

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