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IRGB4B60KD1	文件：377.18 Kbytes Page：15 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransientPerformance. •Low	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRGB4B60KD1PBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT NPT 600V 11A TO220AB	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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详细参数

型号：
IRGB4B60KD1
制造商：
IRF
制造商全称：
International Rectifier
功能描述：
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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