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IRGB4B60KD1	文件：377.18 Kbytes Page：15 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Maximum Junction Temperature rated at 175°C. Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transient Performance. • Low 文件：377.18 Kbytes 页数：15 Pages	IRF	IRF
IRGB4B60KD1	文件：376.95 Kbytes Page：15 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH 文件：376.95 Kbytes 页数：15 Pages	IRF	IRF
IRGB4B60KD1	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V Low-Vceon Non Punch Through Copack IGBT in a TO-220 FullPak package	Infineon 英飞凌	Infineon
IRGB4B60KD1PBF	文件：442.69 Kbytes Page：16 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Maximum Junction Temperature rated at 175°C. • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transient Perform 文件：442.69 Kbytes 页数：16 Pages	IRF	IRF
IRGB4B60KD1PBF	文件：434.6 Kbytes Page：15 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Maximum Junction Temperature rated at 175°C. • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transient Perform 文件：434.6 Kbytes 页数：15 Pages	IRF	IRF
IRGB4B60KD1PBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT NPT 600V 11A TO220AB	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Technology ：
IGBT Gen 5
Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
TO-220
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
7.6A
IC(@25°) max：
11.0A
ICpuls max：
22.0A
Ptot max：
63.0W
VCE(sat) ：
2.1V
Eon ：
0.073mJ
Eoff(Hard Switching) ：
0.047mJ
td(on) ：
22.0ns
tr ：
18.0ns
td(off) ：
100.0ns
tf ：
66.0ns
QGate ：
12.0nC
IF max：
22.0A
VF ：
1.4V
Irrm ：
6.3A
Ets (max)：
0.12mJ (0.13mJ)
VCE max：
600.0V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	IRGB4B60KD1	IR	24+	TO-220-3	8866		询价
深圳市勤思达科技有限公司	IRGB4B60KD1	IR	2015+	TO-220AB	12500	全新原装,现货库存长期供应	询价
深圳市弘为电子有限公司	IRGB4B60KD1	IR	24+	原厂封装	177	原装现货假一罚十	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	IRGB4B60KD1	IR	24+		65230		询价
深圳市威尔健半导体有限公司	IRGB4B60KD1	IR	23+	TO220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
京海半导体(深圳)有限公司	IRGB4B60KD1	IR	21+	TO220	10000	原装现货假一罚十	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRGB4B60KD1	IR	2022+	TO-220AB	12888	原厂代理终端免费提供样品	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	IRGB4B60KD1	IR/VISHAY	23+	TO-220	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	IRGB4B60KD1	IR	24+	NA/	17138	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	IRGB4B60KD1	IR	2023+	TO-220AB	50000	原装现货	询价

更多IRGB4B60KD1供应商更新时间2025-10-4 16:30:00

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