首页 >IRGSL10B60KDPBF>规格书列表

型号下载 订购功能描述制造商 上传企业LOGO

IRGSL10B60KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10μs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Ru

文件:365.94 Kbytes 页数:15 Pages

IRF

IRGSL10B60KDPBF

Package:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT NPT 600V 22A TO262

INFINEON

英飞凌

MBR10B60CTH

Power Schottky Rectifier - 10Amp 60Volt

文件:131.95 Kbytes 页数:3 Pages

SIRECT

矽莱克半导体

MBR10B60FCTH

Power Schottky Rectifier - 10Amp 60Volt

文件:131.95 Kbytes 页数:3 Pages

SIRECT

矽莱克半导体

SBL10B60CTH

Power Schottky Rectifier - 10Amp 60Volt

文件:131.31 Kbytes 页数:3 Pages

SIRECT

矽莱克半导体

产品属性

  • 产品编号:

    IRGSL10B60KDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,10A

  • 开关能量:

    140µJ(开),250µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    30ns/230ns

  • 测试条件:

    400V,10A,47 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

  • 供应商器件封装:

    TO-262

  • 描述:

    IGBT NPT 600V 22A TO262

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
24+
TO-263
200
询价
Infineon
24+
NA
3619
进口原装正品优势供应
询价
International Rectifier
2022+
1
全新原装 货期两周
询价
Infineon
1931+
N/A
493
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物
询价
IR
23+
TO-262
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
INFINEON
25+
TO-262
1675
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!
询价
IR
23+
TO-262
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
Infineon
22+
NA
493
加我QQ或微信咨询更多详细信息,
询价
Infineon Technologies
22+
TO262
9000
原厂渠道,现货配单
询价
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
询价
更多IRGSL10B60KDPBF供应商 更新时间2026-2-1 10:50:00