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IRL3705ZPBF	文件：289.46 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET VDSS = 55V RDS(on) = 8.0mΩ ID = 75A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction oper 文件：289.46 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRL3705ZPBF	文件：382.97 Kbytes Page：12 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：382.97 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRL3705ZPBF_15	文件：382.97 Kbytes Page：12 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：382.97 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRL3705ZS	文件：296.88 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET VDSS = 55V RDS(on) = 8.0mΩ ID = 75A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction oper 文件：296.88 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRL3705ZS	文件：299.88 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：299.88 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRL3705ZSPBF	文件：289.46 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET VDSS = 55V RDS(on) = 8.0mΩ ID = 75A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction oper 文件：289.46 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRL3705ZPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log LvlAB
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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