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IRL640PBF

HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.18廓 , ID = 17A )

文件:930.01 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRL640PBF

Power MOSFET

文件:1.02455 Mbytes 页数:9 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRL640PBF

MOS(场效应管)

Vishay

威世

IRL640S

HEXFET-R POWER MOSFET

文件:271.5 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRL640S

Repetitive avalanche rated

文件:994.86 Kbytes 页数:9 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRL640S

Power MOSFETs

FEATURES • Surface-mount • Available in tape and reel • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Logic-level gate drive • RDS(on) specified at VGS = 4 V and 5 V • Fast switching • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note

文件:1.01484 Mbytes 页数:10 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

技术参数

  • 漏源电压(Vdss):

    200V

  • 栅源极阈值电压(最大值):

    2V @ 250uA

  • 漏源导通电阻(最大值):

    180 mΩ @ 10A,5V

  • 类型:

    N 沟道

  • 功率耗散(最大值):

    125W(Tc)

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更多IRL640PBF供应商 更新时间2026-3-10 15:08:00