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IRL640S	文件：271.5 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET-R POWER MOSFET 文件：271.5 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRL640S	文件：1.01484 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFETs FEATURES • Surface-mount • Available in tape and reel • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Logic-level gate drive • RDS(on) specified at VGS = 4 V and 5 V • Fast switching • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note 文件：1.01484 Mbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRL640S	文件：994.86 Kbytes Page：9 Pages	Repetitive avalanche rated 文件：994.86 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRL640S_V01	文件：1.01484 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFETs FEATURES • Surface-mount • Available in tape and reel • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Logic-level gate drive • RDS(on) specified at VGS = 4 V and 5 V • Fast switching • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note 文件：1.01484 Mbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRL640SPBF	文件：992.71 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：992.71 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRL640SPBF	文件：1.01484 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：1.01484 Mbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRL640STRLPBFA	文件：1.01484 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：1.01484 Mbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRL640STRRPBFA	文件：1.01484 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：1.01484 Mbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRL640S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET Surface-mount\nAvailable in tape and reel\nDynamic dV/dt rating;	Vishay 威世	Vishay
IRL640S	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET-R POWER MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRL640S
功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 17 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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