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IRL640S	文件：1.01484 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFETs FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Logic-levelgatedrive •RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRL640S	文件：271.5 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET-R POWER MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRL640S	文件：994.86 Kbytes Page：9 Pages	Repetitive avalanche rated	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRL640S_V01	文件：1.01484 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFETs FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Logic-levelgatedrive •RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRL640SPBF	文件：992.71 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRL640SPBF	文件：1.01484 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRL640STRLPBFA	文件：1.01484 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRL640STRRPBFA	文件：1.01484 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLI640	文件：332.52 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.18ohm,Id=9.9A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ●IsolatedPackage ●HighVoltageIsolation=2.5KVRMS ●SinktoLeadCreepageDist.4.8mm ●	IRF International Rectifier	IRF
IRLI640A	文件：274.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
IRL640S
功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 17 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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