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IRLL014	文件：959.24 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SOT-223 package is designed for surface-mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniq 文件：959.24 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRLL014	文件：170.07 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES • Surface-mount • Available in tape and reel • Dynamic dV/dt rating • Logic-level gate drive • RDS(on) specified at VGS = 4 V and 5 V • Fast switching • Ease of paralleling • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION 文件：170.07 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRLL014	文件：358.68 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES • Surface-mount • Available in tape and reel • Dynamic dV/dt rating • Logic-level gate drive • RDS(on) specified at VGS = 4 V and 5 V • Fast switching • Ease of paralleling • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION 文件：358.68 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRLL014	文件：209.85 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SOT-223 package is designed for surface-mount using vapor phase, infra red, or wave solderin 文件：209.85 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRLL014	文件：1.03976 Mbytes Page：8 Pages	55V N-Channel MOSFET Benefits VDS (V) =55V ID =2.0A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：1.03976 Mbytes 页数：8 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
IRLL014	文件：174.34 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：174.34 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRLL014	文件：174.34 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：174.34 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRLL014	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET Surface-mount\nAvailable in tape and reel\nDynamic dV/dt rating;	Vishay 威世	Vishay
IRLL014	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET® Power MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
IRLL014_V01	文件：170.07 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES • Surface-mount • Available in tape and reel • Dynamic dV/dt rating • Logic-level gate drive • RDS(on) specified at VGS = 4 V and 5 V • Fast switching • Ease of paralleling • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION 文件：170.07 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

技术参数

OPN：
IRLL014NTRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SOT223
VDS max：
55 V
RDS (on) @10V max：
140 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
280 mΩ
ID @25°C max：
2.8 A
QG typ @10V：
9.5 nC
Special Features：
Small Power
Polarity：
N
VGS(th) min：
1 V
VGS(th) max：
2 V
VGS(th)：
1.5 V
Technology：
IR MOSFET™

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