| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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8年
留言
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VISHAY/威世SOT-223 |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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14年
留言
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IRSOT-223 |
18657 |
26+ |
全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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11年
留言
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IRSOT-223 |
12000 |
26+ |
只做原装正品 |
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VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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6年
留言
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Infineon/英飞凌原厂封装 |
10280 |
26+ |
原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力! |
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2年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT223 |
18000 |
26+ |
原装正品,可配单,支持实单 |
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1年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-223 |
20000 |
26+ |
原装,可BOM配单 |
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13年
留言
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INFINEONTube |
220000 |
24+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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4年
留言
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INFINEONSOT-223 |
8500 |
24+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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15年
留言
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IRSOT-223 |
9450 |
2021+ |
原装现货。 |
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13年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-223 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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8年
留言
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IRSOT223 |
98000 |
24+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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8年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT-223-3 |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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1年
留言
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INFINEONSOT223 |
10000 |
26+ |
原装现货 极速发货 一站式电子元器件BOM配单 |
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13年
留言
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INFINEONSOT-223 |
6000 |
25+ |
全新原装现货、诚信经营! |
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1年
留言
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INTERNATIONAL RECTIFIER |
14262 |
26+ |
原装进口,实单必成 所有型号都有 |
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13年
留言
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INFINEONSOT223 |
15000 |
25+ |
原装正品!!!优势库存!0755-83210901 |
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1年
留言
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INFINEONSOT223 |
3972 |
25+ |
原盘清仓价只做全新原厂原装现货 |
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8年
留言
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VISHAY/威世SOT-223 |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
IRLL014采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRLL014图片
IRLL014NPBF价格
IRLL014NPBF价格：￥0.7134品牌：INTERNATIONAL
生产厂家品牌为INTERNATIONAL的IRLL014NPBF多少钱，想知道IRLL014NPBF价格是多少？参考价：￥0.7134。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRLL014NPBF批发价格及采购报价，IRLL014NPBF销售排行榜及行情走势，IRLL014NPBF报价。
IRLL014TR-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多IRLL014功能描述:MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLL014_10制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRLL014N制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC SOT-223
IRLL014NHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 2.8A 4PIN SOT-223 - Rail/Tube
IRLL014NPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 140mOhms 9.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLL014NTR功能描述:MOSFET N-CH 55V 2A SOT223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLL014NTRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
IRLL014NTRPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 2A 140mOhm 9.5nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLL014NTRPBF-CUT TAPE制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 55 V 2.1 W 9.5 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOT-223-3
IRLL014PBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
