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IRLI640G	文件：1.72701 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLI640G	文件：332.52 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.18ohm,Id=9.9A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ●IsolatedPackage ●HighVoltageIsolation=2.5KVRMS ●SinktoLeadCreepageDist.4.8mm ●	IRF International Rectifier	IRF
IRLI640G	文件：1.71741 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLI640G	文件：1.05719 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLI640GPBF	文件：1.37307 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
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IRLI640GPBF	文件：1.05719 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLS640A	文件：258.089 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.18Ω ID=9.8A FEATURES ●Logic-LevelGateDrive ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ●LowerRDS(ON):	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRLS640A	文件：265.23 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLW640A	文件：362.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
IRL640S
功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 17 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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