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IRLB3813PBF	文件：248.9 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Ultra-Low Gate Impedance ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● Lead-Free Applications ● Optimized for UPS/Inverter Applications ● High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and 文件：248.9 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
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