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IRL640	文件：1.65092 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcosteffectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissip	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRL640	文件：247.41 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRL640	文件：412.4 Kbytes Page：5 Pages	HEXFET Power Mosfet	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.
IRL640	文件：1.02455 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRL640_V01	文件：895.86 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Logic-levelgatedrive •RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V •150°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRL640A	文件：226.35 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.18Ω ID=18A FEATURES ♦Logic-LevelGateDrive ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=20	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
IRL640PBF	文件：930.01 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.18廓 , ID = 17A )	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRL640S	文件：271.5 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET-R POWER MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRL640S	文件：1.01484 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFETs FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Logic-levelgatedrive •RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRL640S_V01	文件：1.01484 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFETs FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Logic-levelgatedrive •RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRL640SPBF	文件：992.71 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRL640A	文件：280.92 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IRL640PBF	文件：1.02455 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRL640S	文件：994.86 Kbytes Page：9 Pages	Repetitive avalanche rated	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRL640SPBF	文件：1.01484 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRL640STRLPBFA	文件：1.01484 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRL640STRRPBFA	文件：1.01484 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
640	文件：113.57 Kbytes Page：1 Pages	MINIATUREFUSEHOLDERS	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司
640	文件：141.46 Kbytes Page：3 Pages	QuartzStability	OSCILENT Oscilent Corporation
640	文件：567.23 Kbytes Page：6 Pages	3M??Scotch짰TransparentFilmTape640	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司

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详细参数

型号：
IRL640
功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 17 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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