IRL640中文资料Power MOSFET数据手册Vishay规格书
IRL640规格书详情
特性 Features
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• Logic-level gate drive
技术参数
- 型号:
IRL640
- 功能描述:
MOSFET N-Chan 200V 17 Amp
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
1275 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO220 |
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VISHAY |
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D2-PAK(TO-263) |
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IR |
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IR |
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TO-220 |
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NA |
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IR |
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IR |
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TO-220 |
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Vishay Siliconix |
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TO2203 |
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