选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
7500 |
20+ |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO-220AB |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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VISHAYTO-220-3 |
50 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
14473 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRD2-pak |
32500 |
20+ |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRT0-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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VISHAYTO-220-3 |
50 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRD2-PAK |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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50 |
10+ |
TO-220-3 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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-TO220AB |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
49200 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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VBTO220AB |
55000 |
2019 |
绝对原装正品假一罚十! |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Vishay SiliconixTO2203 |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-220 |
86957 |
22+ |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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VISHAYTO-220 |
11000 |
22+ |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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Vishay/Vishay Intertechnology,TO-220 |
305 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳宇航军工半导体有限公司11年
留言
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VISHAYTO-263 |
75193 |
19+ |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂; |
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深圳市新力诚科技有限公司9年
留言
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VishayTO-220 |
53340 |
2020+ |
公司代理品牌,原装现货超低价清仓! |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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VISHAYTO-220 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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中性SMA |
69820 |
23+ |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
IRL620采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRL620图片
IRL620STRLPBF价格
IRL620STRLPBF价格:¥3.4662品牌:VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的IRL620STRLPBF多少钱,想知道IRL620STRLPBF价格是多少?参考价:¥3.4662。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRL620STRLPBF批发价格及采购报价,IRL620STRLPBF销售排行榜及行情走势,IRL620STRLPBF报价。
IRL620中文资料Alldatasheet PDF
更多IRL620功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL620A功能描述:MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL620PBF功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL620S功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL620SPBF功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL620STRL功能描述:MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL620STRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL620STRR功能描述:MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件