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深圳市安富世纪电子有限公司

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IRL620

VISHAY/威世TO-220

7500

20+

现货很近!原厂很远!只做原装

深圳市河锋鑫科技有限公司

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IRL620

IRTO-220AB

31518

17+

原装正品 可含税交易

易创佳业科技(深圳)有限公司

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VISHAYTO-220-3

50

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原装现货支持送检

深圳市坤融电子科技有限公司

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IRTO-263

14473

22+

只做原装进口 免费送样!!

深圳市安富世纪电子有限公司

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IRD2-pak

32500

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现货很近!原厂很远!只做原装

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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IRT0-263

12300

23+

全新原装真实库存含13点增值税票!

深圳市安博威科技有限公司

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VISHAYTO-220-3

50

21+

原装正品 有挂有货

深圳市河锋鑫科技有限公司

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IRD2-PAK

31518

17+

原装正品 可含税交易

深圳市华高宇电子有限公司

1年 留言
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VISHAY

50

10+

TO-220-3

易创佳业科技(深圳)有限公司

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-TO220AB

6000

23+

原装正品,支持实单

深圳市百视威讯电子科技有限公司

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N/A

49200

23+

正品授权货源可靠

深圳兆威电子有限公司

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VBTO220AB

55000

2019

绝对原装正品假一罚十!

深圳市芯福林电子科技有限公司

2年 留言
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Vishay SiliconixTO2203

13880

21+

公司只售原装,支持实单

深圳和润天下电子科技有限公司

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IRTO-220

86957

22+

深圳市中联芯电子有限公司

9年 留言
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VISHAYTO-220

11000

22+

原装正品,有挂有货,假一赔十

深圳市环球伟业电子有限公司

2年 留言
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Vishay/Vishay Intertechnology,TO-220

305

21+

优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票

深圳宇航军工半导体有限公司

11年 留言
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    大陆办事处(原厂授权代理商入驻)

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VISHAYTO-263

75193

19+

原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂;

深圳市新力诚科技有限公司

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VishayTO-220

53340

2020+

公司代理品牌,原装现货超低价清仓!

深圳市安富世纪电子有限公司

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VISHAYTO-220

8000

23+

只做原装现货

深圳市威尔健半导体有限公司

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中性SMA

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IRL620STRLPBF价格

IRL620STRLPBF价格:¥3.4662品牌:VISHAY

生产厂家品牌为VISHAY的IRL620STRLPBF多少钱,想知道IRL620STRLPBF价格是多少?参考价:¥3.4662。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRL620STRLPBF批发价格及采购报价,IRL620STRLPBF销售排行榜及行情走势,IRL620STRLPBF报价。

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IRL620功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRL620A功能描述:MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRL620PBF功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRL620S功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRL620SPBF功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRL620STRL功能描述:MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRL620STRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRL620STRR功能描述:MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件