IRL630S数据手册Infineon中文资料规格书
技术参数
- 型号：
IRL630S
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
23+ |
TO-263 |
24680 |
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询价 | ||
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
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询价 | ||
VISHAY |
2018+ |
26976 |
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VISHAY |
21+ |
D2PAK |
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询价 | ||
IR |
2022+ |
D2-PAK |
48000 |
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询价 | ||
IR |
2023+ |
D2-PAK |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
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SILICONIX (VISHAY) |
23+ |
原厂原封 |
1000 |
订货1周 原装正品 |
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IR |
25+23+ |
TO263 |
66520 |
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询价 | ||
IR |
22+ |
D2-PAK |
8000 |
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