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IRL60HS118中文资料适用于低 VGS 的新型逻辑电平 MOSFET数据手册Infineon规格书
IRL60HS118规格书详情
描述 Description
英飞凌的新型逻辑电平功率 MOSFET 具有三种不同的电压等级（60 V、80 V 和 100 V），非常适合无线充电、电信和适配器应用。PQFN 2x2 封装特别适合高速切换和尺寸关键型应用。它可以实现更高的功率密度和更高的效率，同时显著节省空间。VGS
特性 Features
• FOM(RDS(on)xQg/gd)
• 逻辑电平兼容性
• 微型 PQFN 2 x 2 毫米封装
应用 Application
• 高级驾驶员辅助系统 (ADAS) 和自动驾驶 (AD)
技术参数
- 制造商编号
：IRL60HS118
- 生产厂家
：Infineon
- IDpulsmax
：56 A
- Ptotmax
：11.5 W
- Qgd
：2.1 nC
- QG(typ @4.5V)
：5.3 nC
- RDS (on)(@10V) max
：17 mΩ
- RDS (on)(@4.5V LL) max
：23.5 mΩ
- RDS (on)(@4.5V) max
：23.5 mΩ
- RthJAmax
：60 K/W
- RthJCmax
：13 K/W
- Rth
：13 K/W
- VDSmax
：60 V
- VGS(th)
：1.7 V
- Mounting
：SMD
- Package
：PQFN 2 x 2 (DFN2020)
- Operating Temperature
：-55 °C to 175 °C
- Polarity
：N
- Budgetary Price €/1k
：0.3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
6PQFN |
37653 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
Infineon |
23+ |
6-PQFN |
6850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
Infineon |
21+ |
6-PQFN |
28000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
6PQFN |
8000 |
原装，正品 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
PQFN-6 |
19850 |
原装正品,假一赔十 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
2024 |
4000 |
全新、原装 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
22+ |
6VDFN |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PQFN-6 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PQFN-6 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
DFN2x2-6L |
986966 |
国产 |
询价 |
