IRL60S216中文资料60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2PAK数据手册Infineon规格书
IRL60S216规格书详情
特性 Features
优势:
• 逻辑电平驱动优化
• 改善栅极, 雪崩以及动态 dV/dt 坚固性
• 经过充分验证的电容和雪崩安全工作区( SOA)
• 增强的体二极管dV/dt 和 dI/dt 能力
• 无铅
• 符合 RoHS , 无卤素
技术参数
- 制造商编号
:IRL60S216
- 生产厂家
:Infineon
- OPN
:IRL60S216
- Qualification
:Non-Automotive
- Package name
:D2PAK
- VDS max
:60 V
- RDS (on) @10V max
:1.95 mΩ
- RDS (on) @4.5V max
:2.2 mΩ
- ID @25°C max
:298 A
- QG typ @4.5V
:170 nC
- Polarity
:N
- VGS(th) min
:1 V
- VGS(th) max
:2.4 V
- VGS(th)
:1.7 V
- Technology
:StrongIRFET™
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
IR |
17+ |
TO-263 |
149 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
2025 |
1600 |
全新、原装 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
D2PAK |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
D2PAK |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263-2 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
D2PAK |
8000 |
只做原装,欢迎询价,量大价优 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 |