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IRL6297SD数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IRL6297SD

功能描述

20V 双 N 通道低逻辑电平HEXFET Power MOSFET, 采用 DirectFET SA 无铅封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 18:00:00

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IRL6297SD规格书详情

特性 Features


优势:
• 符合 RoHS
• 低 RDS(on)
• 双 N 通道 MOSFET
• 纤薄外形(小于0.7毫米)
• 双面冷却

应用 Application

• 电池保护

技术参数

  • 制造商编号

    :IRL6297SD

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IRL6297SDTRPBF

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :DirectFET SA (MG-WDSON-6)

  • VDS max

    :20 V

  • RDS (on) @4.5V max

    :4.9 mΩ

  • ID @25°C max

    :15 A

  • QG typ @4.5V

    :54 nC

  • Special Features

    :Schottky Like

  • Polarity

    :N+N/N+N

  • VGS(th) min

    :0.5 V

  • VGS(th) max

    :1.1 V

  • VGS(th)

    :0.8 V

  • Technology

    :StrongIRFET™

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
21+
SMD
1532
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Infineon(英飞凌)
23+
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9000
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1950+
SMD
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INFINEON
25+
MG-WDSON-6
9600
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IR
23+
SMD
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INFINEON/英飞凌
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MG-WDSON-6
880000
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INFINEON/英飞凌
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INFINEON/英飞凌
17+
MG-WDSON-6
48000
原装现货
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