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IRL6283M数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IRL6283M

功能描述

20V 双 N 通道低逻辑电平 HEXFET Power MOSFET, 采用 DirectFET MD 无铅封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 20:00:00

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IRL6283M规格书详情

特性 Features


优势:
• 环保产品
• 符合 RoHS,无铅,无溴以及无卤素
• 非常低的 RDS(on)
• StrongIRFET™

应用 Application

• 电池驱动
• 电池保护
• eFuse
• 全桥
• ORing
• 推挽

技术参数

  • 制造商编号

    :IRL6283M

  • 生产厂家

    :Infineon

  • VDS max

    :20.0V

  • RDS (on)(@10V) max

    :0.75mΩ

  • RDS (on) max

    :0.75mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :0.87mΩ

  • RDS (on)(@2.5V) max

    :1.5mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID (@ TA=70°C) max

    :30.0A

  • ID (@ TA=25°C) max

    :38.0A

  • ID (@ TC=25°C) max

    :211.0A

  • Ptot(@ TA=25°C) max

    :2.1W

  • Ptot max

    :63.0W

  • QG 

    :105.0nC 

  • Mounting 

    :SMD

  • Tj max

    :150.0°C

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

  • Qgd 

    :35.0nC 

  • RthJC max

    :1.97K/W

  • VGS max

    :12.0V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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