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IRL6372数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IRL6372

功能描述

30V 双 N 通道低逻辑电平 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 无铅封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 20:00:00

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IRL6372规格书详情

特性 Features


优势:
• 符合 RoHS
• 与现有表面封装技术兼容
• MSL1 合格
• 双 N 通道 MOSFET

应用 Application

• 电池保护

技术参数

  • 制造商编号

    :IRL6372

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IRL6372TRPBF

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :SO8

  • VDS max

    :30 V

  • RDS (on) @4.5V max

    :17.9 mΩ

  • ID @25°C max

    :8.1 A

  • QG typ @4.5V

    :11 nC

  • Polarity

    :N+N/N+N

  • VGS(th) min

    :0.5 V

  • VGS(th) max

    :1.1 V

  • VGS(th)

    :0.8 V

  • Technology

    :StrongIRFET™

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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