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IRL6372	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 SO-8 封装的 30V 双 N 沟道功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 与现有表面封装技术兼容\n• MSL1 合格\n• 双 N 通道 MOSFET;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRL6372PBF	文件：278.11 Kbytes Page：8 Pages	Industry-Standard SO-8 Package 文件：278.11 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRL6372PBF	文件：278.11 Kbytes Page：8 Pages	Battery operated DC motor inverter MOSFET 文件：278.11 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRL6372PBF_15	文件：278.11 Kbytes Page：8 Pages	Industry-Standard SO-8 Package 文件：278.11 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRL6372TRPBF	文件：278.11 Kbytes Page：8 Pages	Battery operated DC motor inverter MOSFET 文件：278.11 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRL6372TRPBF	文件：1.09405 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：1.09405 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

OPN：
IRL6372TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SO8
VDS max：
30 V
RDS (on) @4.5V max：
17.9 mΩ
ID @25°C max：
8.1 A
QG typ @4.5V：
11 nC
Polarity：
N+N/N+N
VGS(th) min：
0.5 V
VGS(th) max：
1.1 V
VGS(th)：
0.8 V
Technology：
StrongIRFET™

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