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IRL510	文件：1.87459 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipa 文件：1.87459 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRL510	文件：1.03278 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipa 文件：1.03278 Mbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRL510	文件：1.1573 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.1573 Mbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRL510	文件：1.15569 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.15569 Mbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRL510	文件：177.97 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：177.97 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRL510	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET • Dynamic dV/dt rating\n• Repetitive avalanche rated\n• Logic-level gate drive;	Vishay 威世	Vishay
IRL510	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET Power MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
IRL510A	文件：242.06 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Power MOSFET BVDSS = 100 V RDS(on) = 0.44Ω ID = 5.6 A FEATURES ♦ Logic-Level Gate Drive ♦ Avalanche Rugged Technology ♦ Rugged Gate Oxide Technology ♦ Lower Input Capacitance ♦ Improved Gate Charge ♦ Extended Safe Operating Area ♦ Lower Leakage Current: 10µA (Max.) @ VDS = 100V ♦ Lower RDS(ON): 0.33 文件：242.06 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
IRL510L	文件：1.03278 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipa 文件：1.03278 Mbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRL510PBF	文件：1.87459 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipa 文件：1.87459 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

详细参数

型号：
IRL510
功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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