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IRL510	文件：1.87459 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRL510	文件：1.03278 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRL510	文件：1.1573 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRL510	文件：1.15569 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRL510	文件：177.97 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRL510A	文件：242.06 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Power MOSFET BVDSS=100V RDS(on)=0.44Ω ID=5.6A FEATURES ♦Logic-LevelGateDrive ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=100V ♦LowerRDS(ON):0.33	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
IRL510L	文件：1.03278 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRL510PBF	文件：1.87459 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRL510S	文件：277.82 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprov	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRL510SPBF	文件：277.82 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprov	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRL510STRLPBF	文件：277.82 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprov	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRL510_17	文件：1.1573 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRL510A	文件：280.59 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IRL510PBF	文件：230.15 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET POWER MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRL510PBF	文件：1.15569 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRL510S	文件：187.79 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET POWER MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
510	文件：268.73 Kbytes Page：1 Pages	ROUNDINSTRUMENTATIONHANDLES [KEYSTONE] ROUNDINSTRUMENTATIONHANDLES FERRULES HANDLEMOUNTINGSCREWS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
510DX	文件：90.81 Kbytes Page：5 Pages	AluminumCapacitors125°C,Miniature,RadialLead	VishayVishay Siliconix 威世科技
510HBKT	文件：77.58 Kbytes Page：1 Pages	LINEARANDROTARYPOSITION	HoneywellHoneywell Sensing and Productivity Solutions 霍尼韦尔霍尼韦尔国际
510JE	文件：124.92 Kbytes Page：1 Pages	CarbonCompositionMoldedOD/OFSeries(5Tol.)OASeries(10)	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商

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详细参数

型号：
IRL510
功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRL510供应商更新时间2024-4-27 15:35:00

详细参数

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