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IRL530	文件：233.97 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET BVDSS = 100 V RDS(on) = 0.12Ω ID = 14 A FEATURES ● Avalanche Rugged Technology ● Rugged Gate Oxide Technology ● Lower Input Capacitance ● Improved Gate Charge ● Extended Safe Operating Area ● Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = 100V ● Lower RDS(ON) : 0.101Ω (Typ.) 文件：233.97 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
IRL530	文件：244.02 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Logic-level gate drive • RDS(on) specified at VGS = 4 V and 5 V • 175 °C operating temperature • Fast switching • Ease of paralleling • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：244.02 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRL530	文件：1.147 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.147 Mbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRL530	文件：1.14788 Mbytes Page：9 Pages	Repetitive Avalanche Rated 文件：1.14788 Mbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRL530	文件：1.1486 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.1486 Mbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRL530	文件：193.79 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：193.79 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRL530	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET • Dynamic dV/dt rating\n• Repetitive avalanche rated\n• Logic-level gate drive;	Vishay 威世	Vishay
IRL530	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET Power MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
IRL530	文件：300 bytes Page：1 Pages	Advanced Power MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
IRL530_V01	文件：244.02 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Logic-level gate drive • RDS(on) specified at VGS = 4 V and 5 V • 175 °C operating temperature • Fast switching • Ease of paralleling • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：244.02 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

技术参数

OPN：
IRL530NPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
100 V
RDS (on) @10V max：
100 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
150 mΩ
ID @25°C max：
17 A
QG typ @4.5V：
22.7 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
1 V
VGS(th) max：
2 V
VGS(th)：
1.5 V
Technology：
IR MOSFET™

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