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IRGSL14C40LPBF	文件：288.53 Kbytes Page：11 Pages	IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps Description The advanced IGBT process family includes a MOS gated, N-channel logic level device which is intended for coil-on-plug automotive ignition applications and small-engine ignition circuits. Features • Most Rugged in Industry • Logic-Level Gate Drive • > 6KV ESD Gate Protection • Lo 文件：288.53 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRGSL14C40LPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 430V 20A 125W TO262AA	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRGB14C40L	文件：155.89 Kbytes Page：11 Pages	IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps Description The advanced IGBT process family includes a MOS gated, N-channel logic level device which is intended for coil-on-plug automotive ignition applications and small-engine ignition circuits. Features • Most Rugged in Industry • Logic-Level Gate Drive • > 6KV ESD Gate Protection • Lo 文件：155.89 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRGB14C40L	文件：171.05 Kbytes Page：12 Pages	IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps 文件：171.05 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGB14C40LPBF	文件：288.53 Kbytes Page：11 Pages	IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps Description The advanced IGBT process family includes a MOS gated, N-channel logic level device which is intended for coil-on-plug automotive ignition applications and small-engine ignition circuits. Features • Most Rugged in Industry • Logic-Level Gate Drive • > 6KV ESD Gate Protection • Lo 文件：288.53 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF

产品属性

产品编号：
IRGSL14C40LPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.75V @ 5V，14A
输入类型：
逻辑
25°C 时 Td（开/关）值：
900ns/6µs
工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装：
TO-262
描述：
IGBT 430V 20A 125W TO262AA

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