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IRGB14C40L	文件：155.89 Kbytes Page：11 Pages	IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps Description The advanced IGBT process family includes a MOS gated, N-channel logic level device which is intended for coil-on-plug automotive ignition applications and small-engine ignition circuits. Features • Most Rugged in Industry • Logic-Level Gate Drive • > 6KV ESD Gate Protection • Lo 文件：155.89 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRGB14C40L	文件：171.05 Kbytes Page：12 Pages	IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps 文件：171.05 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGB14C40LPBF	文件：288.53 Kbytes Page：11 Pages	IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps Description The advanced IGBT process family includes a MOS gated, N-channel logic level device which is intended for coil-on-plug automotive ignition applications and small-engine ignition circuits. Features • Most Rugged in Industry • Logic-Level Gate Drive • > 6KV ESD Gate Protection • Lo 文件：288.53 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRGB14C40LPBF	文件：256.35 Kbytes Page：12 Pages	MOST RUGGED IN INDUSTRY 文件：256.35 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGB14C40LPBF_15	文件：256.35 Kbytes Page：12 Pages	MOST RUGGED IN INDUSTRY 文件：256.35 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGB14C40L	文件：300 bytes Page：1 Pages	430V 低 Vceon 分立 IGBT，采用 TO-220AB 封装	Infineon 英飞凌	Infineon
IRGB14C40LPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 430V 20A TO220AB	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Technology ：
IGBT Gen 7
Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
TO-220
Voltage Class max：
430.0V
IC(@100°) max：
14.0A
IC(@25°) max：
20.0A
Ptot max：
125.0W
VCE(sat) ：
1.55V
QGate ：
102.0nC
Switching Frequency ：
Gen 7 8-30 kHz
VCE max：
430.0V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRGB14C40L供应商更新时间2025-10-8 17:06:00

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