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IRL2910PBF

HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 0.026廓 , ID = 55A )

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

文件:1.54583 Mbytes 页数:9 Pages

IRF

IRL2910PBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件:1.54679 Mbytes 页数:9 Pages

IRF

IRL2910PBF

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

文件:981.62 Kbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

IRL2910PBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件:1.54679 Mbytes 页数:9 Pages

IRF

详细参数

  • 型号:

    IRL2910PBF

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFT 48A 93.3nC 260mOhm LogLvAB

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IRL2910PBF供应商 更新时间2025-12-24 11:39:00