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IRL2910SPBF

HEXFET짰 Power MOSFET

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

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IRF

IRL2910SPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件:690.5 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRL2910SPBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件:690.5 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRLI2910

HEXFET Power MOSFET

文件:143.88 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRLI2910

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:300.23 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IRLI2910PBF

HEXFET Power MOSFET

文件:366.49 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

详细参数

  • 型号:

    IRL2910SPBF

  • 功能描述:

    MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 54nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IRL2910SPBF供应商 更新时间2026-1-24 10:31:00