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IRL3705ZLPBF	文件：289.46 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET VDSS=55V RDS(on)=8.0mΩ ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoper	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
3705	文件：176.75 Kbytes Page：3 Pages	ROTARYMOTION\|PRECISIONSENSOR Features •BushingMount/SleeveBearing •7/8”to1-3/4”DiameterBushingMount •Wirewound3,5and10-TurnPrecisionPotentiometers	SensataSensata Technologies SensataSensata Technologies
3705-BA	文件：160.66 Kbytes Page：2 Pages	NEMASTEELMETALBOX	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
3705-CA	文件：160.66 Kbytes Page：2 Pages	NEMASTEELMETALBOX	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
ACAR3705-SB	文件：1.41966 Mbytes Page：11 Pages	LPWA/Sub-GHzCellularCeramicChipAntenna	ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯
ACAR3705-SB-EVB	文件：1.01662 Mbytes Page：4 Pages	LPWA/Sub-GHzCellularCeramicChipAntennaEvaluationBoard	ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯
AO3705	文件：155.06 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistorwithSchottkyDiode GeneralDescription TheAO3705/LusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.ASchottkydiodeisprovidedtofacilitatetheimplementationofabidirectionalblockingswitch,orforbuckconvertorapplications. AO3705andAO3705Lareelectricallyidentical. -R	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AO3705L	文件：155.06 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistorwithSchottkyDiode GeneralDescription TheAO3705/LusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.ASchottkydiodeisprovidedtofacilitatetheimplementationofabidirectionalblockingswitch,orforbuckconvertorapplications. AO3705andAO3705Lareelectricallyidentical. -R	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AUIRL3705N	文件：1.029859 Mbytes Page：11 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRL3705Z	文件：764.72 Kbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVEGRADE	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRL3705Z	文件：384.15 Kbytes Page：15 Pages	LogicLevelAdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRL3705ZL	文件：384.15 Kbytes Page：15 Pages	LogicLevelAdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRL3705ZL	文件：764.72 Kbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVEGRADE	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRL3705ZS	文件：764.72 Kbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVEGRADE	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRL3705ZS	文件：384.15 Kbytes Page：15 Pages	LogicLevelAdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRL3705ZSTRL	文件：384.15 Kbytes Page：15 Pages	LogicLevelAdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRL3705ZSTRL	文件：764.72 Kbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVEGRADE	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRL3705ZSTRR	文件：384.15 Kbytes Page：15 Pages	LogicLevelAdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRLR3705Z	文件：292.86 Kbytes Page：13 Pages	LogicLevelAdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRLR3705Z	文件：676.35 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司

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详细参数

型号：
IRL3705ZLPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log Lvl
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市安博威科技有限公司	IRL3705ZLPBF	INFINEON/IR	14+/16+	PG-TO262-3	2200		询价
深圳市华高宇电子有限公司	IRL3705ZLPBF	INFINEON/IR	14+/16+		2200	PG-TO262-3	询价
深圳市亿智腾科技有限公司	IRL3705ZLPBF	原厂原包	2022+	原装	38560	原装进口现货,工厂客户可以放款。17377264928微信同	询价
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