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IRGSL10B60KDPBF中文资料PDF规格书
厂商型号 |
IRGSL10B60KDPBF |
参数属性 | IRGSL10B60KDPBF 封装/外壳为TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT NPT 600V 22A TO262 |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
文件大小 |
365.94 Kbytes |
页面数量 |
15 页 |
生产厂商 | International Rectifier |
企业简称 |
IRF【英飞凌】 |
中文名称 | 英飞凌科技公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-30 11:36:00 |
IRGSL10B60KDPBF规格书详情
Features
• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.
• Low Diode VF.
• 10μs Short Circuit Capability.
• Square RBSOA.
• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.
• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
• Lead-Free
Benefits
• Benchmark Efficiency for Motor Control.
• Rugged Transient Performance.
• Low EMI.
• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.
产品属性
- 产品编号:
IRGSL10B60KDPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
卷带(TR)
- IGBT 类型:
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.2V @ 15V,10A
- 开关能量:
140µJ(开),250µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
30ns/230ns
- 测试条件:
400V,10A,47 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商器件封装:
TO-262
- 描述:
IGBT NPT 600V 22A TO262
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
23+ |
N/A |
67000 |
一级代理放心采购 |
询价 | |||
IR |
2016+ |
TO-262 |
6528 |
房间原装进口现货假一赔十 |
询价 | ||
Infineon |
18+ |
NA |
3619 |
进口原装正品优势供应QQ3171516190 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
NA/ |
2900 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-TO-220-3 |
12300 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
7750 |
全新原装优势 |
询价 | ||
IR |
07+/08+ |
TO-263 |
200 |
询价 | |||
IR |
23+ |
TO-262 |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
询价 | ||
InfineonTechnologies |
19+ |
TO-262 |
56800 |
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询价 |